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高壓瓷片電容CC81-2KV-YL-680K

線(xiàn)條

產(chǎn)品用途及特點(diǎn):

適用于調諧回路、需要補償溫度效應的電路中,電容量隨溫度改變呈線(xiàn)性變化等特點(diǎn)。

● 符合RoHS指令

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產(chǎn)品參數 / Product Details

  • 【產(chǎn)品型號】CC81-2KV-YL-680K
  • 【所屬分類(lèi)】CC81高壓瓷片電容
  • 【本體高度】6mm
  • 【電容量】68pF
  • 【本體厚度】2.8mm
  • 【容量編號】680K
  • 【本體寬度】8.5mm
  • 【主要材料】YL
  • 【額定電壓】2KVDC
  • 【引線(xiàn)間距】5mm
  • 【測試電壓】1800VDC
  • 【引線(xiàn)長(cháng)度】3-22mm
  • 【標準偏差】K(±10%)
  • 【引線(xiàn)直徑】0.5mm
  • 【損耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【絕緣電阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【溫度范圍】-40℃~+110℃
如需了解其它參數請通過(guò)右側電話(huà)或者微信 、QQ咨詢(xún)

資料下載 / Product Details

產(chǎn)品詳細 / Product Details

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推薦閱讀 / Product Details


雖然大家往往認為電阻、電容器、電感器等無(wú)源元件的存在不甚搶眼,但實(shí)際上它們卻是最先進(jìn)的電子設備中必不可少的元器件。特別是對最先進(jìn)的半導體設備而言,多層陶瓷電容器極其重要。如果沒(méi)有這種電容器,就無(wú)法指望半導體設備能正常運行。在電子行業(yè)中,曾經(jīng)流傳一種說(shuō)法"電容器遲早會(huì )被納入半導體設備"。但是實(shí)際上,在半導體設備發(fā)展的同時(shí),多層陶瓷電容器的重要性也與日俱增。如果沒(méi)有多層陶瓷電容器,也就無(wú)法指望使用最先進(jìn)的微細加工技術(shù)制造的微處理器、DSP、微型計算機、FPGA等的半導體設備能正常運行。陶瓷電容器小型化和大容量化


目前,多層陶瓷電容器的市場(chǎng)規模在鋁電解電容器、鉭電解電容器和薄膜電容器等各式電容器中是最大的。稍早前的數據顯示2008年日本國內出貨量為 6278億個(gè),日本國內出貨金額達到3059日元(源自經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)部的機械統計)。位居第2位的鋁電解電容器日本國內出貨量為182億個(gè),日本國內出貨金額為1743日元。其差距相當巨大。2012年,多層陶瓷電容器增加到7655億個(gè),與此相對,鋁電解電容器卻減少到109億個(gè)。其差距在不斷擴大。


通過(guò)多重層疊電介質(zhì)層和內部電極,實(shí)現了較大電容。雖然現在多層陶瓷電容器在電容器市場(chǎng)上占據榜首位置,然而在產(chǎn)品推出之初卻很難被市場(chǎng)接受。構思出多層陶瓷電容器創(chuàng )意的是美國企業(yè)。在始于1961年的阿波羅計劃的推進(jìn)過(guò)程中,出于需要,大電容量的小型電容器應運而生。通過(guò)在薄電介質(zhì)上形成電極,并進(jìn)行多個(gè)疊加,實(shí)現了在小體積內充滿(mǎn)大電容的電容器。


多層陶瓷電容器的歷史即可一言以蔽之,就是"小型化和大容量化的歷史"。一般電容器的電容C可以通過(guò)來(lái)表達。在此表達式中,ε是介電常數,S是電極面積、d電極間距離(電介質(zhì)厚度)。即,在一定的體積中,要增加電容,就只能使用ε高的材料,或者是薄化電介質(zhì)。


電介質(zhì)材料在推出之初是采用的二氧化鈦,但我們在較早的階段引入了鈦酸鋇(BaTiO3)。之后也通過(guò)對該材料加以改良來(lái)不斷提高相對介電常數,目前已經(jīng)達到3000左右。相較于幾十水平的二氧化鈦相對介電常數,該數值也已經(jīng)大其兩位數。


電介質(zhì)的厚度在推出之初為50μm,但之后薄型化逐漸發(fā)展,目前已經(jīng)達到了0.5μm。也就是說(shuō),與產(chǎn)品推出之初相比,介電常數已經(jīng)提高到100倍,厚度減少至1/100。如果厚度降低到1/100,那么層疊數可以增加至100倍。因此,如果是相同體積的電容器,相當于增加到100萬(wàn)倍。相反,如果考慮體積,則意味著(zhù)相同的電容量可以實(shí)現1/100萬(wàn)的小型化!


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